成本是限制SiC功率元件大規(guī)模應(yīng)用的核心因素,不過(guò)業(yè)界正從最原始的晶體生長(zhǎng)以及襯底加工環(huán)節(jié)來(lái)進(jìn)一步降低成本,這包括TSSG晶體生長(zhǎng)法、激光切割技術(shù)等。根據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查與分析,隨著越來(lái)越多車(chē)企開(kāi)始在電驅(qū)系統(tǒng)中導(dǎo)入SiC技術(shù),預(yù)估2022年車(chē)用SiC功率元件市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到10.7億美元,至2026年將攀升至39.4億美元。

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