搶先臺(tái)積電 傳出三星6月30日開始量產(chǎn)3納米芯片

　　中國(guó)臺(tái)灣電子時(shí)報(bào)消息，韓媒29日指出，三星電子將于6月30日開始率先量產(chǎn)環(huán)繞閘極技術(shù)(GAA)架構(gòu)的3納米工藝。該報(bào)導(dǎo)指出，三星將于本周四宣布開始大規(guī)模生產(chǎn)3納米芯片，率先量產(chǎn)環(huán)繞閘極技術(shù)(GAA)架構(gòu)的3納米工藝，期許透過押寶的新世代工藝，一舉超越臺(tái)積電，取得市占領(lǐng)先地位。三星押寶的GAA技術(shù)為新世代工藝，能以更小的體積實(shí)現(xiàn)更好的功耗表現(xiàn)，可將芯片面積減少多達(dá)45%，同時(shí)性能提高30%，功耗降低50%，將為芯片業(yè)帶來另—次重大設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)折。