長(zhǎng)江存儲(chǔ)直接挑戰(zhàn)232層3D NAND 欲超車(chē)國(guó)際大廠(chǎng)

　　據(jù)中國(guó)臺(tái)灣電子時(shí)報(bào)消息，3D NAND200層堆棧以上賽局加速展開(kāi)，繼存儲(chǔ)器大廠(chǎng)美光(Micron)提出業(yè)界首家232層堆棧3DNAND Flash將于2022年底前率先量產(chǎn)，近日市場(chǎng)傳長(zhǎng)江存儲(chǔ)將跳過(guò)原定192層技術(shù)，直接挑戰(zhàn)232層NAND，并于2022年底量產(chǎn)。存儲(chǔ)器相關(guān)業(yè)者指出，如此一來(lái)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)可望趕上其他NAND大廠(chǎng)如三星電子等。