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      中科大在InGaAs單光子探測(cè)芯片取得重要進(jìn)展

        據(jù)澎湃新聞消息,近日,中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)光學(xué)與光學(xué)工程系教授王亮課題組設(shè)計(jì)并制備的InGaAs(砷化銦鎵)單光子探測(cè)器芯片取得重要進(jìn)展。前述團(tuán)隊(duì)通過(guò)設(shè)計(jì)金屬—分布式布拉格反射器優(yōu)化單光子探測(cè)器芯片的光學(xué)性能,完成低本征暗計(jì)數(shù)的單光子探測(cè)器芯片的全自主化設(shè)計(jì)與制備,實(shí)現(xiàn)了單光子探測(cè)器芯片的全國(guó)產(chǎn)化,為解決我國(guó)前沿科技問(wèn)題邁進(jìn)了重要一步。相關(guān)成果在線發(fā)表于電子工程技術(shù)領(lǐng)域期刊Journal of Lightwave Technology。

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